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MTB33N10E spec: TMOS E-FET high energy power FET
MTB33N10E Samanlaisia
- MTB30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
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- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
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- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB33N10E Datasheet ja Spec
Valmistaja : Motorola
Pakkauspäivämäärä : DPAK
Pins : 4
Lämpötila : Min -55 °C | Max 150 °C
Koko : 292 KB
Hakemus : TMOS E-FET high energy power FET
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