P282 spec: 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P282 Samanlaisia

P282
- 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P282 Datasheet ja Spec

Valmistaja : Polyfet RF

Pakkauspäivämäärä : SO-8

Pins : 8

Lämpötila : Min -65 °C | Max 150 °C

Koko : 42 KB

Hakemus : 5 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor