P124 spec: 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P124 Samanlaisia

P124
- 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

P124 Datasheet ja Spec

Valmistaja : Polyfet RF

Pakkauspäivämäärä : SO-8

Pins : 8

Lämpötila : Min -65 °C | Max 150 °C

Koko : 36 KB

Hakemus : 4 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor