P122 spec: "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 Samanlaisia

P122
- "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 Datasheet ja Spec

Valmistaja : Polyfet RF

Pakkauspäivämäärä : SO

Pins : 6

Lämpötila : Min -65 °C | Max 150 °C

Koko : 47 KB

Hakemus : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"