LP801 Samanlaisia

  • LP802
    • 30 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
  • LP801
    • 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor

LP801 Datasheet ja Spec

Valmistaja : Polyfet RF 

Pakkauspäivämäärä :  

Pins : 2 

Lämpötila : Min -65 °C | Max 150 °C

Koko : 38 KB

Hakemus : 15 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor 

LP801 PDF Lataa