Path:OKDatasheet > Semiconductor Datasheet > Polyfet RF Datasheet > LC821
LC821 spec: 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC821 Samanlaisia
- LC821
- 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC821 Datasheet ja Spec
Valmistaja : Polyfet RF
Pakkauspäivämäärä :
Pins : 6
Lämpötila : Min -65 °C | Max 150 °C
Koko : 40 KB
Hakemus : 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LC821 PDF Lataa