MTW45N10E spec: TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW45N10E Samanlaisia

MTW45N10E
- TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole

MTW45N10E Datasheet ja Spec

Valmistaja : Motorola

Pakkauspäivämäärä : TO-247AE

Pins : 4

Lämpötila : Min -55 °C | Max 150 °C

Koko : 170 KB

Hakemus : TMOS E-FET power field effect transistor TO-247 with isolated mounting hole