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MTP8N06E spec: TMOS E-FET power field effect transistor
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MTP8N06E spec: TMOS E-FET power field effect transistor
Valmistaja : Motorola
Pakkauspäivämäärä :
Pins : 4
Lämpötila : Min -55 °C | Max 150 °C
Koko : 233 KB
Hakemus : TMOS E-FET power field effect transistor